产品介绍
描述
安森美半导体串行SRAM系列包括多款集成的内存设备，包括这个64K的串行方式访问静态随机存取存储器，由8位内部组织为8千字。该设备的设计，并使用先进的CMOS技术，以提供高速的性能和低功耗制造。该器件在单芯片选择（CS）输入，并使用一个简单的串行外设接口（SPI）串行总线。在一个单一的数据和数据输出线用于沿与时钟的装置内的访问数据。该N64S818HA设备包括一个HOLD引脚，允许通信设备被暂停。暂停时，输入转换将被忽略。该设备可以为-40℃的宽的温度范围内工作，以+ 85℃，可以在几个标准包装产品提供。
特性
1.7〜1.95 V的电源电压范围
极低的待机电流 - 低至200 nA的
极低的工作电流 - 低至3毫安
简单的内存控制：单芯片选择（CS），串行输入（SI）和串行输出（SO）
灵活的操作模式：字读写，页面模式（32字页）和突发模式（全阵列）
为8K×8位的组织
自定时写周期
内建写保护（CS高）
HOLD引脚用于暂停通信
高可靠性 - 无限写入周期
符合RoHS封装 - 绿色SOIC和TSSOP
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